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Entwicklungsingenieur für Leistungshalbleiter (SiC PowerMOSFET) (w/m/div.)

Aufgaben
  • Die Zukunft mitgestalten: Sie übersetzen die Systemanforderungen in neue innovative Bauelementkonzepte.
  • Verantwortung übernehmen: Sie sind verantwortlich für die Entwicklung neuer Leistungshalbleiter-Bauelemente (SiC PowerMOSFET).
  • Kreativität und Freiraum nutzen: Sie übernehmen die Planung und Durchführung von DoE's.
  • Zuverlässig umsetzen: Sie verfolgen und steuern Arbeitspakete innerhalb der Technologieentwicklungsprojekte.
  • Kooperation leben: Sie koordinieren Musteraufbauten, elektrische Charakterisierungen, physikalische Analysen und Zuverlässigkeitsuntersuchungen. Darüber hinaus führen Sie weitere komplexe Entwicklungsaufgaben mit Schnittstellen zu Kunden, externen Firmen, Fertigung und Qualitätssicherung durch und betreuen entwicklungsseitig Produkte nach Serienfreigabe.
Profil
  • Ausbildung: abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom/Promotion) der Physik, der Elektrotechnik oder eines vergleichbaren Studienganges
  • Persönlichkeit: koordinationsfähig, kommunikativ, teamfähig
  • Arbeitsweise: hohe Bereitschaft zu selbständiger, bereichsübergreifender Zusammenarbeit in komplexem Umfeld
  • Erfahrungen und Know-How: einschlägige Erfahrung in der Entwicklung von "wide bandgap" Leistungshalbleitern von Vorteil
  • Qualifikation: Kenntnisse der Physik von Halbleiterbauelementen und deren Charakterisierung; Kenntnisse im Bereich Halbleiterherstellungsprozesse, idealerweise "wide bandgap" (SiC, GaN)
  • Sprachen: verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

Bewerbungsfrist bis einschließlich 10.10.2021.

Stunden:
Vollzeit
Art des Stellenangebotes:
Intern

Fähigkeiten

  • Es ist kein Abschluss erforderlich

Was wir bieten

Vertrag:
Vollzeit